입사된 레이저 광의 검출 및 고속변조된 광신호 검출에 사용되는 핵심 소자 입니다. PIN 광 다이오드는 반응성, 암전류, 고속동작 등의 중요 변수를 지니는데, 우리로광통신㈜가 생산하는 광다이오드(Photo-diode)소자는 빛에 대한 높은 반응성, 낮은 암전류, 고속동작 및 선명한 선형 반응의 특징을 가지고 있습니다.     매우 낮은 암전류와 커패시턴스(Capacitance)를 가지며 매우 민감한 광수신기의 핵심 부품입니다.   1. Operation at 1.0 ~ 1.6µm 2. Low dark current and Capacitance 3. High responsivity 4. Linear response 5. Competitive price   25 / 2.5 / 3.125Gbps optical receiver for optical communication Optical power monitoring application     연구 개발 중     연구 개발 중     연구 개발 중     파워-모니터링 광다이오드(Power-monitoring photo-diode)는 광신호의 장파장대 검출을 위해 InGaAs 흡수층(Absorption layer)을 가지고 있습니다.   1. Operation at 1.0 ~ 1.6µm 2. Low dark current 3. High responsivity 4. Linear response 5. Competitive price   Laser diode power monitoring Optical power-meter application Tap Monitor PD     우리로광통신㈜의 Large Area PD chip은 고출력(>20dBm)에 대응하는 매우 훌륭한 반응 선형성을 갖도록 설계되었습니다. 또한 최소한의 검출 가능한 신호를 감소시키는데 용이하도록 설계되었습니다. Large active area PD에서의 낮은 암전류는 높은 신뢰성과 낮은 최소측정 광전력을 보장합니다. 넓은 광파워 범위에서 고해상도가 요구되는 신뢰성 있는 광파워 측정에 이용될 수 있습니다.   1. High responsivity 2. Low dark current 3. Low Capacitance) 4. Large receiving area(ф = 0.7, 1.0, 2.0mm)   Precise optical power detection for wide wavelength range (1.1 ~ 1.7µm) High optical power detection(+20dBm)